MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR

Micron Technology Inc

MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR

Speicher & Storage

IC DRAM 8GBIT 1067MHZ FBGA

AktivSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR3
Basis-TeilenummerMT52L512
HerstellerMicron Technology Inc.
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatDRAM
Taktfrequenz1067 MHz
Versorgungsspannung1.2V
Memory Organization512M x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)