MT49H32M18CSJ-25E:B

Micron Technology Inc

MT49H32M18CSJ-25E:B

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA

Obsolet144-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieDRAM
Zugriffszeit15 ns
Basis-TeilenummerMT49H32M18
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete

Elektrisch

Speichergröße576Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization32M x 18

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case144-TFBGA
Hersteller-Gehäuse144-FBGA (18.5x11)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)