MT47R512M4EB-25E:C

Micron Technology Inc

MT47R512M4EB-25E:C

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

Abgekündigt60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit400 ps
Basis-TeilenummerMT47R512M4
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.55V ~ 1.9V
Memory Organization512M x 4

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-FBGA (9x11.5)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~85°C(TC)