MT47R256M4CF-25E:H

Micron Technology Inc

MT47R256M4CF-25E:H

Speicher & Storage

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

Obsolet60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit400 ps
Basis-TeilenummerMT47R256M4
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße1Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.55V ~ 1.9V
Memory Organization256M x 4

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-FBGA (8x10)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~85°C(TC)