MT47H64M8CF-25E:G

Micron Technology Inc

MT47H64M8CF-25E:G

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Obsolet60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit400 ps
Basis-TeilenummerMT47H64M8
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization64M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-FBGA (8x10)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)