MT47H64M16NF-25E:M

Micron Technology Inc

MT47H64M16NF-25E:M

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

Aktiv84-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit400 ps
Basis-TeilenummerMT47H64M16
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße1Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization64M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case84-TFBGA
Hersteller-Gehäuse84-FBGA (8x12.5)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~85°C(TC)