MT47H512M8WTR-3:C

Micron Technology Inc

MT47H512M8WTR-3:C

Speicher & Storage

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA

Obsolet63-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit450 ps
Basis-TeilenummerMT47H512M8
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case63-TFBGA
Hersteller-Gehäuse63-FBGA (9x11.5)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)