MT47H512M4THN-3:E TR

Micron Technology Inc

MT47H512M4THN-3:E TR

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA

Obsolet63-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit450 ps
Basis-TeilenummerMT47H512M4
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512M x 4

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case63-TFBGA
Hersteller-Gehäuse63-FBGA (8x10)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~85°C(TC)