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MT47H32M16NF-25E:H

Micron Technology Inc

MT47H32M16NF-25E:H

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

Aktiv84-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit400 ps
Basis-TeilenummerMT47H32M16
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization32M x 16

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case84-TFBGA
Hersteller-Gehäuse84-FBGA (8x12.5)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)

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Prüfung erforderlich

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