MT47H32M16NF-25E AAT:H

Micron Technology Inc

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

Aktiv84-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit400 ps
Basis-TeilenummerMT47H32M16
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization32M x 16

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case84-TFBGA
Hersteller-Gehäuse84-FBGA (8x12.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~105°C(TC)