MT47H256M8EB-3:C

Micron Technology Inc

MT47H256M8EB-3:C

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

Obsolet60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit450 ps
Basis-TeilenummerMT47H256M8
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization256M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-FBGA (9x11.5)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~85°C(TC)