MT47H1G4WTR-25E:C

Micron Technology Inc

MT47H1G4WTR-25E:C

Speicher & Storage

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA

Obsolet63-FBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit400 ps
Basis-TeilenummerMT47H1G4
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz400 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization1G x 4

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case63-FBGA
Hersteller-Gehäuse63-FBGA (9x11.5)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~85°C(TC)