MT47H128M4CB-5E:B

Micron Technology Inc

MT47H128M4CB-5E:B

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Obsolet60-FBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit600 ps
Basis-TeilenummerMT47H128M4
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization128M x 4

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-FBGA
Hersteller-Gehäuse60-FBGA

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~85°C(TC)