MT41K512M8V00HWC1

Micron Technology Inc

MT41K512M8V00HWC1

Speicher & Storage

IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE

AktivSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR3L
Basis-TeilenummerMT41K512M8
HerstellerMicron Technology Inc.
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung1.283V ~ 1.45V
Memory Organization512M x 8

Mechanisch

GehäuseBulk

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~95°C(TC)