MT41K128M16V89C3WC1

Micron Technology Inc

MT41K128M16V89C3WC1

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT PARALLEL DIE

AktivBulkSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR3L
Basis-TeilenummerMT41K128M16
HerstellerMicron Technology Inc.
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung1.283V ~ 1.45V
Memory Organization128M x 16

Mechanisch

GehäuseBulk

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)