MT40A512M16Z11BWC1

Micron Technology Inc

MT40A512M16Z11BWC1

Speicher & Storage

IC DRAM 8GBIT PARALLEL WAFER

AktivDieSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR4
Basis-TeilenummerMT40A512M16
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.26V
Memory Organization512M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseWafer