Allgemein
| Speichertyp | Non-Volatile, Volatile |
|---|---|
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Basis-Teilenummer | MT29RZ4C8 |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Product Status | Obsolete |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Non-Volatile, Volatile |
|---|---|
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Basis-Teilenummer | MT29RZ4C8 |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Product Status | Obsolete |
| Speichergröße | 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2) |
|---|---|
| Speicherformat | FLASH, RAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 533 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.8V |
| Memory Organization | 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2) |
| Gehäuse | Tray |
|---|
| Betriebstemperatur | -25°C~85°C(TA) |
|---|