MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112

Micron Technology Inc

MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112

Speicher & Storage

MASSFLASH/LPDDR4 16G

Aktiv149-VFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile, Volatile
TechnologieFLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4
Zugriffszeit25 ns
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100
Schreibzykluszeit30ns

Elektrisch

Speichergröße8Gbit
SpeicherformatFLASH, RAM
Memory InterfaceONFI
Versorgungsspannung1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization1G x 8

Mechanisch

GehäuseBox
Package / Case149-VFBGA
Hersteller-Gehäuse149-VFBGA (8x9.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)