MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

Micron Technology Inc

MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

Speicher & Storage

IC FLASH 1.125T PARALLEL 272VBGA

Aktiv272-VFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND
Basis-TeilenummerMT29F1T208
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße1.125Tbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung2.5V ~ 3.6V
Memory Organization144G x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case272-VFBGA
Hersteller-Gehäuse272-VBGA (14x18)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)