MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Micron Technology Inc

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Speicher & Storage

IC FLASH 512GBIT PARALLEL 167MHZ

ObsoletSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND
Basis-TeilenummerMT29E512G08
HerstellerMicron Technology Inc.
Product StatusObsolete

Elektrisch

Speichergröße512Gbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz167 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization64G x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)