MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

Micron Technology Inc

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

Speicher & Storage

IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ

AbgekündigtSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND
Basis-TeilenummerMT29E3T08
HerstellerMicron Technology Inc.
Product StatusNot For New Designs

Elektrisch

Speichergröße3Tbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung2.5V ~ 3.6V
Memory Organization384G x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)