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MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Micron Technology Inc

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Speicher & Storage

IC FLASH 3TBIT PAR 272LFBGA

Aktiv272-LFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND
Basis-TeilenummerMT29E3T08
HerstellerMicron Technology Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße3Tbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung2.5V ~ 3.6V
Memory Organization384G x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case272-LFBGA
Hersteller-Gehäuse272-LFBGA (14x18)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)

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Prüfung erforderlich

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