MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

Micron Technology Inc

MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

Speicher & Storage

IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZ

AbgekündigtSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND
Basis-TeilenummerMT29E2T08
HerstellerMicron Technology Inc.
Product StatusNot For New Designs

Elektrisch

Speichergröße2Tbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung2.5V ~ 3.6V
Memory Organization256G x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)