VP2206N2

Microchip Technology

VP2206N2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 750MA TO39

AktivTO-205AD, TO-39-3 Metal CanAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 3.5A, 10V
Basis-TeilenummerVP2206
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 10mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C750mA (Tj)
Max. Verlustleistung360mW (Tc)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Hersteller-GehäuseTO-39

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)