VP2110K1-G

Microchip Technology

VP2110K1-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerVP2110
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120mA (Tj)
Max. Verlustleistung360mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB (SOT23)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)