VP0550N3-G

Microchip Technology

VP0550N3-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

AktivTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs125Ohm @ 10mA, 10V
Basis-TeilenummerVP0550
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54mA (Tj)
Max. Verlustleistung1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Hersteller-GehäuseTO-92-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)