VN3205N3-G

Microchip Technology

VN3205N3-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3

AktivTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerVN3205
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 10mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Tj)
Max. Verlustleistung1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Hersteller-GehäuseTO-92-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)