VN0300L-G

Microchip Technology

VN0300L-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3

AktivTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 1A, 10V
Basis-TeilenummerVN0300
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 20 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C640mA (Tj)
Max. Verlustleistung1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Hersteller-GehäuseTO-92-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)