TP2640LG-G

Microchip Technology

TP2640LG-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 300mA, 10V
Basis-TeilenummerTP2640
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86mA (Tj)
Max. Verlustleistung740mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)