TP2540N3-G

Microchip Technology

TP2540N3-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3

AktivTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 100mA, 10V
Basis-TeilenummerTP2540
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds125 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86mA (Tj)
Max. Verlustleistung740mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Hersteller-GehäuseTO-92-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)