TP2104K1-G

Microchip Technology

TP2104K1-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerTP2104
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160mA (Tj)
Max. Verlustleistung360mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB (SOT23)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C