TP0620N3-G

Microchip Technology

TP0620N3-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3

AktivTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 200mA, 10V
Basis-TeilenummerTP0620
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C175mA (Tj)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Hersteller-GehäuseTO-92-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)