TN5335N8-G

Microchip Technology

TN5335N8-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA

AktivTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 200mA, 10V
Basis-TeilenummerTN5335
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Tj)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseTO-243AA (SOT-89)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)