TN5325K1-G

Microchip Technology

TN5325K1-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 1A, 10V
Basis-TeilenummerTN5325
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150mA (Ta)
Max. Verlustleistung360mW (Ta)

Mechanisch

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB (SOT23)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TA)