MSCSM170HM23CT3AG

Microchip Technology

MSCSM170HM23CT3AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC 4N-CH 1700V 124A

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 60A, 20V
Basis-TeilenummerMSCSM170
Konfiguration4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs356nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600pF @ 1000V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C124A (Tc)
Power - Max602W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseModule

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)