MSCSM120HM31CT3AG

Microchip Technology

MSCSM120HM31CT3AG

Analog & Leistungselektronik

SIC 4N-CH 1200V 89A SP3F

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 40A, 20V
Basis-TeilenummerMSCSM120
Konfiguration4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs232nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3020pF @ 1000V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C89A (Tc)
Power - Max395W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseSP3F

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)