MSCSM120DDUM16TBL3NG

Microchip Technology

MSCSM120DDUM16TBL3NG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SIC 4N-CH 1200V 150A

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 80A, 20V
Basis-TeilenummerMSCSM120
Konfiguration4 N-Channel, Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6040pF @ 1000V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartChassis Mount
VerpackungBulk
TeilestatusAktiv
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 6mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A
Power - Max560W

Mechanisch

Package / CaseModule

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)