Allgemein
| Basis-Teilenummer | MSCDC100 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 700 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 µA @ 700 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Box |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| Hersteller-Gehäuse | D1P |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
|---|