MSC017SMA120J

Microchip Technology

MSC017SMA120J

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227

AktivBulkAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 40A, 20V
Basis-TeilenummerMSC017
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5280 pF @ 1000 V
HerstellerMicrochip Technology
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 4.5mA (Typ)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C88A (Tc)
Max. Verlustleistung278W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Hersteller-GehäuseSOT-227

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)