MNS1N6627US/TR

Microchip Technology

MNS1N6627US/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF

AktivSQ-MELF, BAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)440 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.35 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)1.75A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 440 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSQ-MELF, B
Hersteller-GehäuseE-MELF

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C