LND150N8-G

Microchip Technology

LND150N8-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

AktivTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1000Ohm @ 500µA, 0V
Basis-TeilenummerLND150
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10 pF @ 25 V
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30mA (Tj)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseSOT-89-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)