Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
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| Basis-Teilenummer | LND150 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bag |
| Teilestatus | Aktiv |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drain-Source-Spannung | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) |
| Max. Verlustleistung | 740mW (Ta) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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