Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N930 |
|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
Mechanisch
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-18 |
Umwelt
| Grade | Military |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/253 |