Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N6989 |
|---|---|
| Hersteller | Microchip Technology |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 4 NPN (Quad) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 1.5W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Hersteller-Gehäuse | TO-116 |
Umwelt
| Grade | Military |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/559 |