JANTXV1N6625US/TR

Microchip Technology

JANTXV1N6625US/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D-5A

AktivSQ-MELF, AAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)60 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 1100 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSQ-MELF, A
Hersteller-GehäuseD-5A

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C
QualificationMIL-PRF-19500/585