JANS1N5806US

Microchip Technology

JANS1N5806US

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

AktivSQ-MELF, AAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N5806
Capacitance @ Vr, F25pF @ 10V, 1MHz
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 150 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSQ-MELF, A
Hersteller-GehäuseD-5A

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/477