JAN1N6624/TR

Microchip Technology

JAN1N6624/TR

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 900V 1A

AktivA, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)900 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.55 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 900 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseA, Axial
Hersteller-GehäuseA, Axial

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C
QualificationMIL-PRF-19500/585