JAN1N6076

Microchip Technology

JAN1N6076

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 50V 1.3A E-PAK

AktivE, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N6076
HerstellerMicrochip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.76 V @ 18.8 A
Current - Average Rectified (Io)1.3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 50 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseE, Axial
Hersteller-GehäuseE-PAK

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 155°C
QualificationMIL-PRF-19500/503