JAN1N5622US

Microchip Technology

JAN1N5622US

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A

AktivSQ-MELF, AAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N5622
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 1000 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSQ-MELF, A
Hersteller-GehäuseD-5A

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 200°C
QualificationMIL-PRF-19500/427