JAN1N5420US

Microchip Technology

JAN1N5420US

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

AktivSQ-MELF, EAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N5420
HerstellerMicrochip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)400 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 9 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSQ-MELF, E
Hersteller-GehäuseD-5B

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/411